匹配電容:負(fù)載電容是指晶振要正常震蕩所需要的電容。一般外接電容,是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近負(fù)載電容。要求高的場(chǎng)合還要考慮IC輸入端的對(duì)地電容。一般晶振兩端所接電容是所要求的負(fù)載電容的兩倍,這樣并聯(lián)起來(lái)就接近負(fù)載電容了。

1、為了要滿足諧振的條件,晶體元件的負(fù)載電容是指在電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容。是指晶振要正常震蕩所需要的電容。一般外接電容,是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近負(fù)載電容。不是所有晶體振蕩電路都需要匹配電容。是否需要由振蕩電路的形式?jīng)Q定,分析時(shí)需采用晶體的等效模型。
2、接地:晶體旁邊的兩個(gè)電容接地, 實(shí)際上就是電容三點(diǎn)式電路的分壓電容, 接地點(diǎn)就是分壓點(diǎn)。 以接地點(diǎn)即分壓點(diǎn)為參考點(diǎn), 振蕩引腳的輸入和輸出是反相的, 但從并聯(lián)諧振回路即石英晶體兩端來(lái)看, 形成一個(gè)正反饋以保證電路持續(xù)振蕩。
當(dāng)然也可以這樣理解:晶振的標(biāo)稱值在測(cè)試時(shí)有一個(gè)“負(fù)載電容”的條件,在工作時(shí)滿足這個(gè)條件,振蕩頻率才與標(biāo)稱值一致,也就是說(shuō),只有連接合適的電容才能滿足晶振的起振要求,晶振才能正常工作。
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