
1、保證鍍膜室和微調(diào)室的真空度,鍍膜前最好進(jìn)行離子轟擊清洗。鍍膜過程中,晶片的溫度,濺射的速度均對(duì)電極質(zhì)量有影響。
2、鍍膜前后,上架點(diǎn)膠后,微稠后都應(yīng)進(jìn)行高溫烘烤,以消除應(yīng)力的影響,烘烤老化最好在可抽真空充氮?dú)獾暮嫦淅镞M(jìn)行。
3、為防止電極氧化,晶振殼內(nèi)部應(yīng)充高純氮?dú)狻?/span>
4、要保證晶片的光潔度和清潔度,包括其邊緣的光潔度,要對(duì)晶片進(jìn)行多遍仔細(xì)清洗,對(duì)諧振件和外殼也要清洗。
5、應(yīng)采用深腐蝕工藝,確保破壞層被全部清除。
6、適當(dāng)減薄電極膜的厚度,保證鍍膜公差,盡量減小微調(diào)量。
7、封裝時(shí)要保證晶振的低漏氣率和高密封性。
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